Сохань, К.С. 2025. Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si. Прикладная математика & Физика. 57, 2 (июн. 2025), 125-130. DOI:https://doi.org/10.52575/2687-0959-2025-57-2-125-130.