Сохань, К. С. «Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si». Прикладная математика & Физика, т. 57, вып. 2, июнь 2025 г., сс. 125-30, doi:10.52575/2687-0959-2025-57-2-125-130.