Сохань КС. Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si. ПМ&Ф [Интернет]. 30 июнь 2025 г. [цитируется по 31 август 2025 г.];57(2):125-30. доступно на: https://maths-physics-journal.ru/index.php/journal/article/view/312