Знакопеременное магнетосопротивление и температурная зависимость электропроводности монокристаллов твердых растворов арсенида кадмия
DOI:
https://doi.org/10.52575/2687-0959-2022-54-3-178-185Ключевые слова:
отрицательное магнетосопротивление, твердый раствор, монокристалл, прыжковая проводимость, арсенид кадмияАннотация
Модифицированным методом Бриджмена выращен монокристалл твердого раствора (Cd0.5 Zn0.5)3As2. Измерена холловская подвижность и концентрация носителей заряда. Исследована зависимость электропроводности и магнетосопротивления в диапазоне от 10 до 300 К. Обнаружено, что в системе (Cd0.5 Zn0.5)3As2, демонстрирующей механизм прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка типа Мотта, проявляется отрицательное магнетосопротивление в широком температурном диапазоне в ортогональном магнитном поле 1 Тл. Определены радиус локализации носителей заряда a = 262 ˚A, ширина мягкой параболической щели Δ = 0.259 мэВ.
Скачивания
Библиографические ссылки
Amarnath R., Bhargavi K. S., Kubakaddi S. S. 2020. Thermoelectric transport properties in 3D Dirac semimetal Cd3As2. Journal of Physics Condensed Matter, 32(22): 225704 12.
Bodnar J. 1977. In Proceedings of the International Conference on the Physics of Narrow-Gap Semiconductors. Proc. Internat. Conf., 311.
Chorsi H. T. et al. 2020. Widely Tunable Optical and Thermal Properties of Dirac Semimetal Cd3As2. Advanced Optical Materials, 8(8): 120302 6.
Crassee I. et al. 2018. 3D Dirac semimetal Cd3As2: A review of material properties. Physical Review Materials, 2(12): 120302 15.
Huang X., Zhao L., Long Y., Wang P., Chen D., Yang Z., et al. 2015. Observation of the Chiral-Anomaly-Induced Negative Magnetoresistance in 3D Weyl Semimetal TaAs. Phys. Rev. X, 5: 031023.
Grundmann M. 2021. The Physics of Semiconductors. Graduate Texts in Physics. Springer Berlin Heidelberg, 989: 255–265.
Lu H. et al. 2017. Topological phase transition in single crystals of (Cd1-x-y Znx Mny)3As2 // Scientific reports. 7. (1): 3148.
Laiho R., Lashkul A., Lisunov K., Lahderanta E., Shakhov M. and ZakhvalinskiiV. 2008. Hopping conductivity of ni-doped p-CdSb. Journal of Physics: Condensed Matter, 20(29): 295204-295214.
Volodina G.F. et al. 2013. Crystal Structure of a′′′ – (Zn1−x Cdx)3As2 (x = 0.26). Crystallography Reports, 58(58): 563-567.
Wang Z., Weng H., Wu Q. et al. 2013. Three-Dimensional Dirac Semimetal and Quantum Transport in Cd3As2 // Phys. Rev., 88: 125427.
Xue J., Huang S.,Wang J. Y. and Xu H. Q. 2019. Mott variable-range hopping transport in a MoS2 nanoflake. RSC. Adv, 9: 17885.
Zakhvalinskii V. S., Alam M., Nikulicheva T. B., Lahderanta E., Shakhov M. A., Piljuk E. A., Ivanchikhin S. V., Kochura A. V. 2017. Hopping Conductivity in Single Crystals (Cd0.6 Zn0.32 Mn0.08)3As2.International Journal of Engineering. B, 30 : 11.
Zakhvalinskii V. S., Nikulicheva T. B., Kochura A. V., Lahderanta E., Shakhov M., Kubankin A. S., Sukhov M., Yaprintsev M. N., and Morocho A. A. 2021. Mixed conductivity analysis of single crystals of a′′′ – (Cd1−x Znx)3As2 (x = 0.45). Materials Science. AIP, 11 (3): 035028.
Zhang Y. and Sarachik M. P. 1989. Phys. Rev. B, 39: 8059.
Zhang Y., Dai P. and Sarachik M. P. 1992. Magnetoconductance of CdSe in the hopping regime: The effect of quantum interference. Phys. Rev. B, 45: 9473.
Просмотров аннотации: 110
Поделиться
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Copyright (c) 2022 Прикладная математика & Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
