Волновые функции стационарных состояний поперечного движения позитронов с энергиями 5 и 20 ГэВ при каналировании в направлении <111> кристалла кремния
DOI:
https://doi.org/10.52575/2687-0959-2024-56-4-320-327Ключевые слова:
каналирование, быстрые частицы, высокие энергии, позитроны, кремний, стационарные состояния, уровни энергииАннотация
Движение быстрой заряженной частицы в кристалле под малым углом к одной из плотно упакованных атомами кристаллографических осей с хорошей точностью описывается как движение в непрерывных потенциалах параллельных атомных цепочек, при котором сохраняется параллельная оси цепочки компонента импульса частицы. Финитное движение частицы в поперечной плоскости называется аксиальным каналированием и может квантоваться. В статье представлены полные каталоги найденных численно уровней энергии поперечного движения позитронов с энергиями 5 и 20 ГэВ, каналирующих в направлении <111> кристалла кремния, и соответствующих этим уровням волновых функций стационарных состояний. Дана классификация найденных состояний по неприводимым представлениям группы C3v.
Скачивания
Библиографические ссылки
Robinson M.T., Oen O.S. Computer Studies of the Slowing Down of Energetic Atoms in Crystals. Phys. Rev. 1963;132(6):2385–2398. DOI: 0.1103/PhysRev.132.2385
Ахиезер А.И., Шульга Н.Ф. Электродинамика высоких энергий в веществе. М., Наука; 1993. 344 c.
Ахиезер А.И., Шульга Н.Ф., Трутень В.И., Гриненко А.А., Сыщенко В.В. Динамика заряженных частиц высоких энергий в прямых и изогнутых кристаллах. УФН. 1995;165(10):1165–1192. DOI: 10.3367/UFNr.0165.199510c.1165
Gemmel D.S. Channeling and related effects in the motion of charged particles through crystals. Rev. Mod. Phys. 1974;46(1):129–227. DOI: 10.1103/RevModPhys.46.129
Uggerhøj U.I.The interaction of relativistic particles with strong crystalline fields, Rev. Mod. Phys. 2005; 77(4):1131–1171. DOI: 10.1103/RevModPhys.77.1131
Линдхард Й. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УФН. 1969;99(2):249–296. DOI: 10.3367/UFNr.0099.196910c.0249
Исупов А.Ю., Сыщенко В.В., Парахин А.С. Об устойчивости движения позитронов вблизи направления ⟨111⟩ кристалла кремния. Прикладная математика & Физика. 2023;55(1):49–56. DOI 10.52575/2687-0959-2023-55-1-49-56
Сыщенко В.В., Парахин А.С. Квантовое описание каналирования позитронов вблизи направления ⟨111⟩ кристалла кремния. Прикладная математика & Физика. 2024;56(1):50–59 DOI 10.52575/2687-0959-2024-56-50-59
Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Parakhin A.S., Isupov A.Yu. Simulating Quantum States of Positively Charged Particles Channeling along the [111] Direction in a Silicon Crystal. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2024;18(2):274–280. DOI 10.1134/S1027451024020186
Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т. 3. Квантовая механика (нерелятивистская теория). М., Наука; 1989. 768 c.
Syshchenko V.V., Tarnovsky A.I., Isupov A.Yu. Mixed (regular and chaotic) dynamics under the channeling of the high energy positrons in [100] direction of the silicon crystal and Podolskiy-Narimanov distribution. Journal of Instrumentation 2024;19:C05005. DOI 10.1088/1748-0221/19/05/C05005
Gutzwiller M.C. Chaos in Classical and Quantum Mechanics, New York, Springer-Verlag; 1990. 432 p.
Bolotin Y., Tur A., Yanovsky V. Chaos: Concepts, Control and Constructive Use. Springer International Publishing Switzerland; 2017. 281 p. DOI 10.1007/978-3-319-42496-5
Сыщенко В.В., Тарновский А.И., Парахин А.С., Исупов А.Ю. Волновые функции позитронов при каналировании в направлении [111] кристалла кремния. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2025 (в печати).
Калашников Н.П., Ольчак А.С. Явление каналирования как 1D- и 2D-модели атома в сопутствующей системе координат. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2022;8:108–112. DOI 10.31857/S1028096022050132
Просмотров аннотации: 12
Поделиться
Опубликован
Как цитировать
Выпуск
Раздел
Copyright (c) 2024 Прикладная математика & Физика
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.