РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ ДЛЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ МЕТАЛЛОПОЛИМЕРНЫХ КОРПУСОВ
DOI:
https://doi.org/10.18413/2687-0959-2020-52-1-33-40Ключевые слова:
Диод Шоттки, SiC, карбид кремния, малогабаритный полимерный корпусАннотация
Выполнен расчет характеристик охранной системы карбидокремниевых 4H-SiC диодов Шоттки с использованием метода физического моделирования и установлены оптимальные конфигурации (уровни легирования и толщины эпитаксиального слоя 4H-SiC) структуры диода для получения высоких значений пробивного напряжения. Установлено, что оптимальная структура диода Шоттики, пригодного для монтажа в современных малогабаритных металлополимерных корпусах (SOT, QFN), соответствует диоду с концентрацией доноров в эптаксиальном слое 4H-SiC 3,75×1015 ñm−3, толщиной слоя 18 мкм, и системой из шести охранных p+колец и слоем JTE
Скачивания
Данные скачивания пока недоступны.
Просмотров аннотации: 490
Поделиться
Опубликован
2020-05-12
Как цитировать
Кульченков . . E. А. ., Рыбалка, С. Б. ., Демидов, А. А. ., & Дракин, А. Ю. . (2020). РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК КАРБИДОКРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ ДЛЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ МЕТАЛЛОПОЛИМЕРНЫХ КОРПУСОВ. Прикладная математика & Физика, 52(1), 33-40. https://doi.org/10.18413/2687-0959-2020-52-1-33-40
Выпуск
Раздел
Физика. Математическое моделирование
