Влияние ориентации монокристаллических игл NiSb на электропроводность монокристаллов композита (InSb)98:2 - (NiSb)1:8

Василий Сергеевич Захвалинский; Александр Васильевич Борисенко; Алексей Викторович Маширов; Алексей Вячеславович Кочура; Евгений Александрович Пилюк; Валентин Валентинович Соболев

doi:10.52575/2687-0959-2024-56-4-314-319

Авторы

Василий Сергеевич Захвалинский Белгородский государственный национальный исследовательский университет https://orcid.org/0000-0001-7055-8243
Александр Васильевич Борисенко Белгородский государственный национальный исследовательский университет https://orcid.org/0000-0002-2539-3096
Алексей Викторович Маширов Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук https://orcid.org/0000-0001-9447-9339
Алексей Вячеславович Кочура Юго-Западный государственный университет https://orcid.org/0000-0002-7941-8404
Евгений Александрович Пилюк Белгородский государственный национальный исследовательский университет https://orcid.org/0000-0003-4979-5724
Валентин Валентинович Соболев Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова https://orcid.org/0000-0001-7909-9629

DOI:

https://doi.org/10.52575/2687-0959-2024-56-4-314-319

Ключевые слова:

InSb-NiSb, монокристалл, прыжковая проводимость, электрические свойства

Аннотация

Целью работы является проведение исследования электропроводности композитных монокристаллов (InSb_)98.2 – (NiSb)_1.8. Модифицированным методом Бриджмена были получены монокристаллы композита эвтектической системы (InSb)_98.2 – (NiSb)_1.8. Используя сканирующий электронный микроскоп JSM-6610LV (Jeol), был определен состав и однородности распределения элементов методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. Определены интервалы прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка типа Эфроса – Шкловского (60 К – 126.1 К) и прыжковой проводимости по ближайшим соседям (88 К – 115 К) у образцов с разной ориентацией игольчатых включений NiSb.

Скачивания

Данные скачивания пока недоступны.

Биографии авторов

Василий Сергеевич Захвалинский, Белгородский государственный национальный исследовательский университет

доктор физико-математических наук, профессор кафедры теоретической и экспериментальной физики, Белгородский государственный национальный исследовательский университет,
г. Белгород, Россия
E-mail: zakhvalinskii@bsuedu.ru
ORCID: 0000-0001-7055-8243

Александр Васильевич Борисенко, Белгородский государственный национальный исследовательский университет

аспирант, Белгородский государственный национальный исследовательский университет,
г. Белгород, Россия
E-mail: borisenko02.94@mail.ru
ORCID: 0000-0002-2539-3096

Алексей Викторович Маширов, Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории магнитных явлений, Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук,
г. Москва, Россия
E-mail: a.v.mashirov@mail.ru
ORCID: 0000-0001-9447-9339

Алексей Вячеславович Кочура, Юго-Западный государственный университет

кандидат физико-математических наук, доцент, заместитель директора по научной работе Регионального центра нанотехнологии, Юго-Западный государственный университет,
г. Курск, Россия
E-mail: akochura@mail.ru
ORCID: 0000-0002-7941-8404

Евгений Александрович Пилюк, Белгородский государственный национальный исследовательский университет

кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории перспективных материалов и технологий, Белгородский государственный национальный исследовательский университет,
г. Белгород, Россия
E-mail: pilyuk@bsuedu.ru
ORCID: 0000-0003-4979-5724

Валентин Валентинович Соболев, Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова

доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики, Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова,
г. Ижевск, Россия
E-mail: soboleff.val@yandex.ru
ORCID: 0000-0001-7909-9629

Библиографические ссылки

Razeghi M. Overview of antimonide based III-V semiconductor epitaxial layers and their applications at the center for quantum devices. The European Physical Journal-Applied Physics. 2003;23(3):149-205. DOI:10.1051/epjap:2003056

Weiss H. Structure and Application of Galvanomagnetic Devices: International Series of Monographs on Semiconductors. New York; 2014. 362 p.

Su M, Li J, He K, Fu K. NiSb/nitrogen-doped carbon derived from Ni-based framework as advanced anode for lithium-ion batteries. Journal of Colloid and Interface Science. 2023;629(48):83-91.

Zhao J, Li N, Cheng Y. All-dielectric InSb metasurface for broadband and high-efficient thermal tunable terahertz reflective linear-polarization conversion. Optics Communications. 2023;536:129372.

Luo F, Wang J, Zhu C, He X, Zhang S, Wang J, Liu H, Sun Z. 18-Electron half-Heusler compound Ti 0.75 NiSb with intrinsic Ti vacancies as a promising thermoelectric material. Journal of Materials Chemistry A. 2022;10(17):9655-9669. DOI: 10.1039/d2ta00461e

Zheng XM, You JH, Fan JJ, Tu GP, Rong WQ, Li WJ, Wang YX, Tao S, Zhang PY, Zhang SY, Shen SY, Li JT, Huang L, Su S. Electrodeposited binder-free Sb/NiSb anode of sodium-ion batteries with excellent cycle stability and rate capability and new insights into its reaction mechanism by operando XRD analysis. Nano Energy. 2020;77(5):105123. DOI:10.1016/j.nanoen.2020.105123

Friedrich J, Muller G. Erlangen - An Important Center of Crystal Growth and Epitaxy: Major Scientific Results and Technological Solutions of the Last Four Decades. Crystal Research and Technology. 2020;55(2): 1900053. DOI:10.1002/crat.201900053

Pendharkar M, Zhang B, Wu H, Zarassi A, Zhang P, Dempsey C, Lee J, Harrington S, Badawy G, Gazibegovic S, Veld R, Rossi M, Jung J, Chen A, Verheijen M, Hocevar M, Bakkers E, Palmstrom CJ, Frolov SM. Parity-preserving and magnetic field–resilient superconductivity in InSb nanowires with Sn shells. Science. 2021;372(6541):508-511. DOI:10.1126/science.aba5211

Jesenovec J, Zawilski KT, Alison P, Meschter S, Saha SK, Sepelak AJ, Schunemann PG. Controlling Morphology of NiSb Needles in InSb through Low Temperature Gradient Horizontal Gradient Freeze. Journal of Crystal Growth. 2023;626:127440. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2023.127440

Mamedov IKh, Arasly D, Khalilova A, Rahimov RN. Anisotropic electrical properties of a eutectic InSb + MnSb composite. Inorganic Materials. 2016;52(4):423-428. DOI:10.1134/S0020168516040105

Ivanov O, Zakhvalinskii V, Pilyuk E, Kochura A, Kuzmenko A, Ril A. Resistivity superconducting transition in single-crystalline Cd0.95Ni0.05Sb system consisting of non-superconducting CdSb and NiSb phases. Chinese Journal of Physics. 2021;72(2):223-228. DOI:10.1016/j.cjph.2021.05.004

Zakhvalinskii VS, Borisenko AV, Nikulicheva TB, Kochura AV, Htet AZ, Pilyuk EA. Properties of solid solution (Cd0.69Zn0.31)3As2. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics. 2022;15(3.1): 22. DOI 10.18721/JPM.153.103

Laiho R, Lashkul AV, Lisunov KG, Lahderanta E, Shakhov MA, Zakhvalinskii VS. Hopping conductivity of ni-doped p-CdSb. Journal of Physics: Condensed Matter. 2008;20(29):295204-295214. DOI:10.1088/0953-8984/20/29/295204

Tran TT, Wong-Leung J, Smillie LA, Hallen A. High hole mobility and non-localized states in amorphous germanium. APL Materials. 2023;11(4):041115. DOI:10.1063/5.0146424

Ravich YuI, Nemov SA. Hopping conduction via strongly localized impurity states of indium in PbTe and its solid solutions. Semiconductors. 2002;36(1):3-23.